據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)，于2025年09月05日?qǐng)?bào)道，9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí)，云南大學(xué)研究員史衍麗受邀將出席會(huì)議，并帶來(lái)《1550nm InP/InGaAs 單光子探測(cè)器》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！
嘉賓簡(jiǎn)介
史衍麗，博士，云南大學(xué)研究員，博士生導(dǎo)師。主要研究方向?yàn)椋杭t外光電探測(cè)器設(shè)計(jì)及研制。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，先后主持二十余項(xiàng)國(guó)家和省部級(jí)項(xiàng)目。發(fā)表文章100余篇，在國(guó)內(nèi)外相關(guān)重要會(huì)議上作大會(huì)和特邀報(bào)告二十余次。中國(guó)物理學(xué)會(huì)女物理工作委員會(huì)委員，《紅外與激光工程》、《紅外技術(shù)》、《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》編委。
報(bào)告前瞻
報(bào)告題目：1550nm InP/InGaAs 單光子探測(cè)器
報(bào)告摘要：InP/InGaAs短波紅外單光子探測(cè)器（SPAD）是目前較為成熟而獲得廣泛應(yīng)用的單光子探測(cè)器，也是目前1550 nm通信波段主流的單光子探測(cè)技術(shù)，具有性能好、體積小、方便安裝和攜帶的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)；同時(shí)，基于常規(guī)半導(dǎo)體二極管的芯片制造工藝很容易實(shí)現(xiàn)大面陣單光子陣列，除了探測(cè)信號(hào)，還具備三維數(shù)字成像功能。國(guó)內(nèi)外包括美國(guó)、瑞士、意大利、韓國(guó)等對(duì)InP/InGaAs SPAD進(jìn)行了長(zhǎng)期持續(xù)的研究，其單光子探測(cè)器陣列呈現(xiàn)了清晰的三維成像效果。
通過(guò)采用能帶-電場(chǎng)-工藝三元協(xié)同調(diào)控工程，對(duì)材料結(jié)構(gòu)完成優(yōu)化設(shè)計(jì)，利用創(chuàng)新的芯片工藝，建立均勻的雪崩電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了室溫門(mén)控高性能單光子探測(cè)器，相比目前國(guó)際上報(bào)道的同類單光子探測(cè)器，相同探測(cè)效率下暗計(jì)數(shù)率低一個(gè)量級(jí)，為新一代室溫單光子探測(cè)器奠定了堅(jiān)實(shí)的實(shí)驗(yàn)和理論基礎(chǔ)。在此基礎(chǔ)上采用Cr-SiO作為InP/InGaAs負(fù)反饋雪崩二極管（NFADs）集成電阻。當(dāng)它們被集成到SPAD中時(shí)，器件的雪崩電流被顯著抑制。在自由運(yùn)行模式下，294 K時(shí)，NFAD以10%的光子檢測(cè)效率實(shí)現(xiàn)了32.6 kHz的暗計(jì)數(shù)率。根據(jù)以上工作成果，進(jìn)一步研制了單光子探測(cè)器陣列，并成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)弱光的成像演示。
附會(huì)議信息：
【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日
【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明
【指導(dǎo)單位】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
【主辦單位】
云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）
半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
【承辦單位】
云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
【支持單位】
賽迪智庫(kù)集成電路研究所
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
云南大學(xué)
山東大學(xué)
云南師范大學(xué)
昆明理工大學(xué)
晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
.....
【關(guān)鍵材料】
1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
【主要方向】
1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料
（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）
2.硅、高純鍺及鍺基材料
（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等）
3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備
（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）
4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science
（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）
5.光電子器件工藝與應(yīng)用
（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽(yáng)能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）
6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用
（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開(kāi)關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無(wú)人機(jī)，射頻能量等）
7.能源電子及應(yīng)用
（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）
8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控
（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）
【程序委員會(huì)】
大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）
副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)
委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門(mén)大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢(qián)（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧?kù)o（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽(yáng)（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門(mén)大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等
【日程安排】
日程
【擬參與單位】
中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門(mén)大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽(yáng)能 美科太陽(yáng)能 高景太陽(yáng)能 中研科精密 華夏芯智慧光子，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽(yáng)光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛 昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等
【活動(dòng)參與】
1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥(niǎo)票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、繳費(fèi)方式：
①銀行匯款
開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
